PBSS5240XX دیتاشیت

PBSS5240XX

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PBSS5240XX
حجم فایل 57.091 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت PBSS5240XX-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia PBSS5240XX
  • Transistor Type: PNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 2A
  • Power Dissipation (Pd): 1.35W
  • Transition Frequency (fT): 150MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 55@2A,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 40V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 630mV@2A,250mA
  • Package: SOT-89-4
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه